穆桂英挂帅

IT之家注意到，在 Hot Chips 2026 大会上，SK 海力士封装工程副总裁 Jaesik Lee 发表了题为“高带宽内存的先进封装”（Advanced Packaging for High-Bandwidth Memory）的简报，阐述了公司计划如何利用先进封装技术加速其 HBM 路线图。阅读下文，获取本次盛会的全部详情！gamescom 2026 何时举行？gamescom 将于 8 月 25 日（周二）至 8 月 30 日在德国科隆举行。该公司首先介绍了 HBM 目前的制造方式。

二 | HBM 结构由 3D 堆叠结构组成，通过 TSV（硅通孔）将多个核心芯片（DRAM IC）连接到基底裸片（base die）。gamescom 日程安排8 月 25 日，星期二gamescom 开幕之夜直播 (包含官方前奏秀和展后解析直播) - 太平洋时间上午 10:30 / 东部时间下午 1:30 / 欧洲中部夏令时间晚上 7:30开幕之夜直播 (ONL) 将于 2026 年回归。HBM 目前最高可达 16 层，即 16-Hi 堆叠。HBM 与 GPU 是独立的芯片，但通过 2.5D 封装安装在同一个硅中介层上。这场线下活动将进行同步直播，拉开 gamescom 的序幕！届时请准时收看，整晚都将有重磅预告片、实机演示和大量新闻发布。每个 HBM 模块还通过硅中介层包含 1024 个 IO 和 16 个通道，这些 IO 通过 PHY 将 HBM 堆叠连接到 XPU。ONL 在主秀开始前会有 30 分钟的前奏秀，主秀时长约为两小时。HBM 作为 DRAM 解决方案之所以重要，是因为它节省空间、功耗和运营成本。典型的 GDDR6 方案可提供 24GB 容量和 768GB/s 带宽，而配备四个堆叠的 HBM3E 方案可节省多达一半的空间，同时提供高达 144GB 容量和 4TB/s 带宽。SK 海力士目前的路线图将 HBM4 作为顶级产品，DRAM 密度高达 24Gb，容量最高达 36GB，总计 2048 个 IO 位，IO 速度最高 8Gbps，带宽达 2048GB/s。在开幕之夜直播结束后，我们将在展后深度解析直播中详细拆解所有重磅发布内容！8 月 26 日，星期三gamescom 直播间第一日 - 太平洋时间上午 6:00 / 东部时间上午 9:00 / 欧洲中部夏令时间下午 3:00第一天的直播将包含开发者访谈、独家揭晓及更多精彩内容。

HBM4 的封装高度和尺寸都有所增加，集成的 TSV 和微凸点也比 HBM3E 更多。

三 | Xbox 第一日直播 - 太平洋夏令时间上午 7:00 / 东部夏令时间上午 10:00 / 英国夏令时间下午 3:00 / 欧洲中部夏令时间下午 4:00Xbox 直播将邀请特别嘉宾，并展示实机演示、预告片等内容。8 月 27 日，星期四gamescom 直播间第二日 - 太平洋时间上午 6:00 / 东部时间上午 9:00 / 欧洲中部夏令时间下午 3:00第二天的直播将带来更多开发者访谈、独家预告片和情报公开。

四 | Xbox 第二日直播 - 太平洋夏令时间上午 7:00 / 东部夏令时间上午 10:00 / 英国夏令时间下午 3:00 / 欧洲中部夏令时间下午 4:00Xbox 的直播将有更多访谈、特别嘉宾、新预告片和实机演示。

五 | 8 月 28 日，星期五gamescom 颁奖典礼与 gamescom 直播间第三日 - 太平洋时间上午 6:00 / 东部时间上午 9:00 / 欧洲中部夏令时间下午 3:00gamescom 颁奖典礼将于 2026 年回归！我们将共同庆祝所有获奖者，完整名单将在线上公布，直播中还将有更多内容揭晓。具体成果如下：带宽超过 2TB/s功耗效率提升 40% 以上相比 HBM3E 耐热性提升 14% 以上容量最高 48GB（12-Hi 已量产，16-Hi 正在认证中）Z 轴高度 775 微米，尺寸 12.8x11 平方毫米16,148 个底部微凸点超过 2 万个 TSV

目前主要有两种 HBM 封装技术：热压键合 + 非导电膜（TC+NCF）和整体回流 + 模塑底部填充（MR+MUF）。

六 | TC+NCF 对芯片翘曲问题有更好的抵抗力，但热阻更高、生产率较低。8 月 29 日，星期六gamescom 直播间第四日 - 太平洋时间上午 6:00 / 东部时间上午 9:00 / 欧洲中部夏令时间下午 3:00第四天的直播将包含更多独家揭晓和开发者访谈。MR+MUF 生产率更高、热阻更低，但更容易出现芯片翘曲，且在间隙填充方面存在缺陷。8 月 30 日，星期日gamescom 直播间第五日 - 太平洋时间上午 6:00 / 东部时间上午 9:00 / 欧洲中部夏令时间下午 3:00第五天的直播将包含有趣的对话以及播客团队的深度解析。

七 | 如何观看 gamescom以下是您可以观看 gamescom 直播的平台列表：EurogamerVG247Rock Paper Shotgun期待在 gamescom 看到哪些发布内容粉丝们可以期待看到来自 Control Resonant、Dune: Awakening、红色沙漠、神鬼寓言4、Persona 4 Revival、Alien: Isolation 2、Tomb Raider: Legacy of Atlantis 等作品的开发者现场访谈、独家揭晓、实机演示和深度解析！Xbox 将在 gamescom 设立大型展台，拥有 140 个游戏站，展示 25 款即将推出的游戏，包括 神鬼寓言4、Call of Duty: Modern Warfare 4、Alien: Isolation 2、Stranger Than Heaven、战争机器：事变日、Minecraft Dungeons II、Metro 2039 等。开发者们也将亲临现场与玩家交流，提升观展体验。SK 海力士还重点介绍了其 HBM 工艺流程，包括从晶圆厂到客户系统的六个关键阶段。请持续关注 gamescom 2026 的所有最新发布内容！Jessie Wade 是编辑项目副总监。

八 | 她最近在 Switch 上玩休闲游戏，或者沉迷于 上古卷轴OL：高岛。

SK 海力士在 HBM 封装中集成了四项关键技术，包括：TSV（硅通孔）形成晶圆减薄微凸点形成芯片堆叠 / 底部填充先进的 MR-MUF 已应用于 SK 海力士的 16-Hi HBM3E 方案，并引入了两项新技术：翘曲控制和细间距互连与窄间隙填充。总封装高度增至 775 微米，芯片厚度缩减至 0.9 倍，间隙高度缩减至 0.5 倍，凸点间距缩减至 0.9 倍。展望未来，还有一些关键挑战需要解决。首先是随着带宽需求激增带来的 HBM 功耗上升，其次是散热问题以及 TSV 区域面积。随着 TSV 数量增长，尽管 TSV 间距不断缩小，但所占面积仍在持续增加。此外，每两代带宽近乎翻倍，给现有工艺和封装技术带来了 2.2 倍的热负担。

九 | 因此，SK 海力士正在研究混合键合（Hybrid Bonding）等未来技术方案，以突破 16-Hi 堆叠限制，通过更窄的间距提供更高性能，并通过更高的导电性实现更好的散热效率。SK 海力士展示的数据显示，与 MR-MUF 工艺相比，混合键合可使核心芯片厚度增加 24%，TSV 间距小于 18 微米。即使堆叠层数增加，混合键合的热阻仍可降低 35%。

十 | 与三星的 HPB（散热路径模块）类似，SK 海力士正在开发自己的局部热点缓解技术，名为 I-HBM，该技术在 HBM D2D PHY 区域（热点附近）嵌入高导热且电绝缘的冷却组件，打造专用散热路径，可额外降低 30% 以上的热阻。展望未来，SK 海力士计划通过 TSV 数量翻倍、结合逻辑工艺集成提升 IO 速度来增加带宽，同时利用最新优化的逻辑代工工艺解决功耗 / PDN（电源分配网络）挑战，通过“无处不在”的电源 TSV 大幅改善 PDN。HBM 技术对更高功率密度、带宽和堆叠高度的持续追求，带来了显著的热学、力学和封装挑战，其驱动因素包括更厚的氧化层、更密集的 TSV 和不断攀升的引脚速度。

十一 | MLMO、优化的微凸点、新兴的混合键合（用于改善热导率、工艺窗口和更细的间距）以及 I-HBM 等热点解决方案正在积极应对这些问题。然而，随着堆叠向 16-20 层高度演进，架构向与逻辑芯片更紧密的 3D 集成方向发展，成功将要求设计、材料、客户工艺和中介层技术之间更紧密的协同优化。行业内的持续合作对于满足未来工作负载对容量和带宽的需求仍然至关重要。

十二 | 该公司还在其 2.5D HBM 方案幻灯片中展示了英特尔 EMIB 封装技术，与 CoWoS-L、CoWoS-R 和 CoWoS-S 并列。值得注意的是，有传闻称英特尔和 SK 海力士将在存储领域成立合资公司。SK 海力士还展示了不同的先进封装技术如何以不同方式对 HBM / 中介层施加应力。最后，SK 海力士着眼于未来的 3D 集成，这将使其能够在加速器之上堆叠 HBM，一旦先进逻辑和先进封装技术成熟，这将是人人都想实现的一步。